onsemi AFGBG70T65SQDC Nチャネル、フィールド・ストップ第4世代IGBT
オンセミ (onsemi) AFGBG70T65SQDC NチャネルフィールドストップIV高速IGBTは、新しいフィールドストップ第4世代IGBTテクノロジーと第1.5世代 SiCショットキーダイオードテクノロジーを採用しています。このIGBTは、コレクタ・エミッタ間電圧が VCES= 650Vで、D2PAK7パッケージで提供されます。コレクタ・エミッタ飽和電圧（VCE（SAT））は 1.54V、コレクタ電流（IC）は70Aの定格です。onsemi AFGBG70T65SQDCは、低い伝導損失およびスイッチング損失の両方が必要不可欠な各種アプリケーションに最適な性能を提供し、高効率を実現します。
特徴
- 最高ジャンクション温度（TJ）：+175°C
- 簡単な並列操作のための正の温度係数
- 大電流能力
- 標準低飽和電圧（VCE（SAT））：1.54V（コレクタ電流IC = 70A時）
- 部品はILMで100%試験済
- 高速スイッチング
- 非常に小さいパラメータ分布のばらつき
- 逆回復なし、順方向回復なし
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
アプリケーション
- 車載用HEVオンボード充電器
- 車載用HEVEV DC-DCコンバータ
- トーテムポールブリッジレスPFC
仕様
- コレクタ・エミッタ電圧（VCES）：650V
- ゲート・エミッタ電圧（VGES）：±20V
- 過渡ゲート・エミッタ電圧（VGES）：±30V
- コレクタ電流（IC）：75A（TC = +25°C時）、70A（TC = +100°C時）
- 消費電力（PD）：617W（TC = +25°C時）、 309W（TC = +100°C時）
- パルスコレクタ電流（ICM）：280A（TC =+25°C、tp = 10µs時）
- ダイオード順方向電流（IF）：35A（TC = +25°C時）、20A（TC = +100°C時)
- パルスダイオード最大順方向電流（IFM）：80A（TC =+25°C tp = 10µs時）
- 動作ジャンクション/保存温度範囲（TJ 、Tstg）：-55°C～+175°C
- ハンダ付け用リード温度（TL）：+260°C
回路図
公開: 2025-09-30
| 更新済み: 2025-10-13