onsemi NPN双極性デジタルトランジスタ

Onsemi NPN双極性デジタルトランジスタは、モノリシック・バイアス抵抗器ネットワークであり、単一の デバイスとその外付け抵抗器バイアス・ネットワークを置き換えるように設計されています。これらのバイアス抵抗器 トランジスタ(BRT) は、直列ベース抵抗器 (22kΩ) とベース‐エミッタ抵抗器 (47kΩ) の2つの抵抗器で構成されています。BRTは、個々の部品を排除し、単一のデバイスに統合します。この BRT は AEC-Q101 認定 を受け、PPAP に対応します。BRTは、鉛およびハロゲン/BFRフリー、RoHS準拠です。代表的なアプリケーションには、逆バッテリ保護、 DC/DCコンバータ出力ドライバ、高速スイッチングがあります。

特徴

  • ボードスペースを削減
  • コンポーネント数を削減
  • 回路設計を簡素化
  • AEC-Q101 認定およびPPAP 対応
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • バッテリの逆方向挿入保護
  • DC/DCコンバータ出力ドライバ
  • 高速スイッチング

仕様

  • ベース抵抗:22kΩ、ベース-エミッター抵抗:47kΩ
  • 100mADC コレクタ電流
  • 8VDC 入力逆電圧
  • 40VDC 入力順電圧
  • 50VDC コレクタ‐ベース電圧 (VCBO) とコレクタ‐エミッタ電圧 (VCEO)

ピン接続

ブロック図 - onsemi NPN双極性デジタルトランジスタ
公開: 2023-12-13 | 更新済み: 2024-05-20