onsemi NTBL023N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFET

onsemi NTBL023N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、要求の厳しい電力アプリケーション向けに設計されています。onsemi NTBL023N065M3S MOSFETは、VGS = 18Vで23mΩのRDS(on)(typ.)、超低ゲート電荷(QG(tot)= 69nC)、低容量(Coss = 152pF)の高速スイッチングが特徴です。アバランシェ性能のテストが完了しているMOSFETは、ハロゲンフリー、RoHS準拠で、Exemption 7a、第2レベルの相互接続で鉛フリーです。スイッチングモード電源(SMPS)、ソーラーインバータ、無停電電源装置(UPS)、エネルギー貯蔵システム、インフラなどのアプリケーションに最適で、現代の電力管理ニーズを満たす堅牢な性能を提供しています。

特徴

  • RDS(on)= 23m(typ.)(VGS = 18V)
  • 超低ゲート電荷(QG(tot) = 69nC)
  • 低静電容量(Coss = 152pF)の高速スイッチング
  • 100%アバランシェ試験を実施済
  • ハロゲンフリーとRoHS準拠(Exemption 7a、鉛フリー2LI(第2レベル相互接続時)

アプリケーション

  • SMPS
  • ソーラーインバータ
  • UPS
  • エネルギー貯蔵
  • インフラストラクチャ
公開: 2025-01-17 | 更新済み: 2025-02-20