onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFET
onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能とより高い信頼性を実現しています。これらの650V SiC MOSFETは低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズで、低容量とゲート電荷を保証します。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのメリットがあります。
特徴
- 低RDS(on)
- 高接合部温度
- Tj = 175°C
- 100% UIL試験済
- RoHS準拠
- ハイスピード・スイッチングと低電気容量
- 650V定格
アプリケーション
- DC-DCコンバータ
- ブーストインバータ
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