ROHM Semiconductor SCT4013DR Nチャンネル SiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor  SCT4013DR Nチャンネル炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFETは、要求の厳しい電子機器アプリケーション向けに設計された高性能デバイスです。ドレイン－ソース間定格電圧750V、および連続ドレイン電流105A（@ +25°°C）が特徴のこのデバイスは、比類のない効率性と熱性能を備えています。13mΩ（標準）の低オン抵抗、および高速スイッチング特性によってROHM SCT4013DRは、電源、インバータ、モータドライブといった高周波アプリケーションに最適です。また、SCT4013DRは、高破壊電圧、低スイッチング損失、優れた熱伝導性をはじめとするSiC技術の固有の利点の恩恵を受けており、システムサイズ縮小と信頼性の向上に貢献します。TO-247-4L ケースに格納されたMOSFETは、堅牢な熱管理、および既存設計への簡単な統合をサポートしています。