ROHM Semiconductor SCT4018KR NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor  SCT4018KR Nチャンネル炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFETは、要求の厳しいアプリケーションにおける高効率電力変換用に最適化された堅牢なデバイスです。ROHM SCT4018KRは、ドレイン－ソース電圧定格1,200V、および連続ドレイン電流81A（@ +25°°C）を備え、高電圧環境で優れた性能を発揮します。このデバイスは、一般的な低オン抵抗18mΩ が特徴で、高速スイッチング速度に対応しており、スイッチング損失を大幅に低減してシステム全体の効率を向上させます。TO-247-4L パッケージに格納されているSCT4018KRは、工業電源、ソーラーインバータ、モータドライブでの使用に最適です。SiC技術の利点が活用されたSCT4018KR MOSFETは、優れた熱伝導率、高温動作、信頼性の向上を備え、コンパクトな高性能パワーシステムに最適です。