ROHM Semiconductor シリコンパワーMOSFET
ROHM SemiconductorシリコンパワーMOSFETは、超高速スイッチング速度と低オン抵抗が特徴です。このMOSFETは、ミニチュア0604パッケージを含めて幅広い種類のパッケージでご用意があり、設計での省スペースを目的としています。
特徴
- シングルの特徴
- ドレイン・ソース電圧VDSS:
- -100V～800V
- ドレイン電流ID: -39A～80A
- RDS(on) [O] VGS=ドライブ（typ）:
- 0.0018Ω～10Ω
- ドライブ電圧: -4.5V～10V
- 全ゲート電荷: 1.4nC～145nC
- 低オン抵抗
- 高速スイッチング速度
- 簡単な並列使用
- 無鉛メッキ
- RoHS準拠
- デュアルの特徴
- ドレイン・ソース電圧VDSS:
- -60V～100V
- ドレイン電流ID: -5.5A～27A
- RDS(on) [O] VGS=ドライブ（typ）:
- 0.005～10Ω
- ドライブ電圧: -4.5V～4.5V
- 全ゲート電荷: 1.4nC～60nC
- MOSFET+ショットキーの特徴
- ドレイン・ソース電圧VDSS:
- -45V～30V
- ドレイン電流ID: -2.4A～2.5A
- RDS(on) [O] VGS=ドライブ（typ）:
- 0.11Ω～1Ω
- ドライブ電圧: -4V～2.5V
- 全ゲート電荷: 1.6nC～6.7nC
アプリケーション
- 単一アプリケーション
- スイッチング電源
- 車載用モーター駆動
- 車載用ソレノイドドライブ
- デュアル・アプリケーション
- スイッチング
- DC.DCコンバータ
- モバイル用バッテリスイッチ
- MOSFET+ショットキー・アプリケーション
- 負荷スイッチ
- DC/DCコンバータ
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公開: 2017-02-14
| 更新済み: 2025-11-03