ROHM Semiconductor スーパー・ジャンクションMOS EN & KNシリーズMOSFET

ROHM Semiconductorスーパー・ジャンクションMOS ENおよびKNシリーズMOSFETには、平面MOSFETの低ノイズ特性とスーパー・ジャンクションMOSFETの低ON抵抗特性が組み合わされています。ENシリーズは、600Vおよび650Vバージョンで販売されており、ノイズ対策が必須の電源回路に推奨されます。高速スイッチングKNシリーズは、600V、650V、800Vでご用意があります。また、低損失と優れた効率性が必須の電源回路に推奨されます。    

スーパー・ジャンクションMOS ENおよびKNシリーズMOSFETは、設計の柔軟性を目的にTO-220FM、TO-247、TO-3PF、DPAK、D2PAKを始めとするパッケージで幅広くご用意があります。

特徴

  • スーパー・ジャンクションMOS KNシリーズ
    • VDSS: 600V、650V、800V
    • 高速スイッチングと低スイッチング損失
    • 高効率SMPSに有用
    • 最大電流76A(600V、650V)および52A(800V)まで
    • パッケージ: TO-220FM/AB、TO-247、TO-3PF、D2PAK、DPAK

ノイズ評価

ROHM Semiconductor スーパー・ジャンクションMOS EN & KNシリーズMOSFET

効率評価

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公開: 2019-01-03 | 更新済み: 2024-01-23