STMicroelectronics 車載グレード・シリコンカーバイド・パワーMOSFET
STMicroelectronics 車載グレード・シリコン・カーバイド・パワーMOSFET は 、STの 高度で革新的な第2/第3世代 SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは 、1ユニット領域あたりのオン抵抗および非常に優れたスイッチング 性能が特徴です。MOSFETは、非常に高い動作温度能力(TJ = 200°C) 、非常に高速で堅牢な真性ボディダイオードが特徴です。
特徴
- AEC-Q101準拠
- 非常に高い動作温度能力（TJ = +200°C）
- 超高速かつ堅牢な真性ボディダイオード
- 低い電気容量
アプリケーション
- インバータのトラクション
- DC/DCコンバータ（EV/HEV用）
- オンボード・チャージャ（OBC）
SIC MOSFETポートフォリオ
コンテンツストリーム
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| 部品番号 | データシート | 説明 |
|---|---|---|
| SCT016H120G3AG |  |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package |
| SCT011HU75G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package |
| SCT012W90G3-4AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package |
| SCT020HU120G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package |
| SCT020W120G3-4AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package |
| SCT025W120G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package |
| SCT040HU120G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package |
| SCT025H120G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package |
| SCT012H90G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package |
| SCT040W120G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package |
公開: 2020-06-25
| 更新済み: 2026-02-03