STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFET
STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETは、非常に高電圧の高速リカバリダイオードで、950～1050V絶縁破壊電圧が備わっています。DK5には、最低45nCの非常に低いゲート電荷と、250ns（typ.）の逆回復時間（trr）があります。これによって、MDmesh DK5は、高電力アプリケーションのZVS LLC共振コンバータに最適です。これらのアプリケーションには、産業用溶接機、プラズマジェネレータ、高周波誘導融解/暖房、X線装置があります。また、MDmesh DK5 MOSFETシリーズは、0.12Ωの低オン抵抗（RDS(on)）（VGS = 10V、ID = 23A）と優れた耐久性があり、ハードスイッチングトポロジにも最適です。DK5は、ロングリードTO-247およびISOTOPパッケージを始めとする幅広いスルーホールおよびSMDパワーパッケージでご用意があります。
The MDmesh DK5 MOSFET series is also ideal for hard switching topologies thanks to the low on-resistance (RDS(on)) of 0.12Ω (VGS = 10V, ID = 23A ) and excellent ruggedness. The DK5 are available in a wide range of through-hole and SMD power packages including long-lead TO-247 and ISOTOP packages.
特徴
- Fast-recovery body diode
- Best RDS(on) x area
- Low gate charge, input capacitance, and resistance
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt ruggedness
アプリケーション
- Switching applications
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-500V～1500Vという広範な破壊電圧があります。
公開: 2017-06-14
| 更新済み: 2026-01-21