STMicroelectronics NチャンネルPowerMESHパワーMOSFET

STMicroelectronics NチャンネルPowerMESHパワーMOSFETは、STMicroelectronics連結ストリップレイアウトベースのMESH OVERLAY™プロセスで設計されています。 このプロセスは高電圧パワーMOSFETのアドバンスシリーズに際立った性能もたらしています。 独自のエッジ終端構造と組み合されて強化されたレイアウトによって、エリアあたり最低RDS(on)、他製品よりも優れたゲート電荷特性とスイッチング特性が付加されています。

特徴

  • 100% avalanche tested
  • Intrinsic capacitances and Qg minimized
  • High-speed switching
  • Fully isolated TO-3PF plastic packages
  • Creepage distance path is 5.4mm (typ.) for TO-3PF

アプリケーション

  • Switching applications
公開: 2016-02-15 | 更新済み: 2022-03-11