STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6パワーMOSFETは、高電圧NチャンネルパワーMOSFETで、ツェナー保護と100%アバランシェが特徴です。また、このMOSFETは、超低ゲート電荷、±30Vゲート-ソース電圧、83W総電力損失、世界的なRDS(ON) x領域、世界的な性能指数(FOM)も特徴です。MOSFETは、-55°C~ 150°C接合部温度範囲で動作し、DPAK(TO-252)タイプA2パッケージでご用意があります。一般的なアプリケーションには、タブレット、ノートブック用のフライバックコンバータ、LED照明、アダプタがあります。

特徴

  • 超低ゲート電荷
  • 世界中のRDS(ON) x領域
  • 世界的なFOM(性能指数)
  • ゲート・ソース間電圧 ±30V
  • 総消費電力 83W

アプリケーション

  • フライバックコンバータ
  • LED照明
  • タブレット、ノートブック用アダプタ
公開: 2023-01-20 | 更新済み: 2024-06-25