STMicroelectronics STO67N60x MDmeshパワーMOSFET
STMicroelectronics STO67N60x MDmeshパワーMOSFETは、ツェナー保護およびアバランシェ試験が100%完了しているNチャンネルパワーMOSFETで、スイッチング・アプリケーションに適しています。これらのパワーMOSFETは、スイッチング性能に優れており、ゲート入力抵抗が小さく、旧世代に比べて領域のRDS(on)が低いことが特徴です。STO67N60DM6パワーMOSFETは、高速回復ボディダイオードで、非常に低い回復電荷(Qrr)およびリカバリ時間(trr)と最も効果的なスイッチング動作が組み合わされています。STO67N60M6パワーMOSFETは、LLCコンバータとブーストPFCコンバータでの使用に最適です。特徴
- スイッチング損失を低減 (STO67N60M6)
- 高速リカバリ・ボディ・ダイオード (STO67N60DM6)
- ゲート入力抵抗が小さい (STO67N60M6)
- 低ゲート電荷、入力容量、耐性 (STO67N60DM6)
- 100%アバランシェ試験済み
- ツェナー保護
- dv/dt耐久性が極めて高い(STO67N60DM6)
- 長沿面距離パッケージ(STO67N60M6)
- 優れたスイッチング性能
アプリケーション
- スイッチングアプリケーション
- LLCコンバータ(STO67N60M6)
- ブーストPFCコンバータ(STO67N60M6)
概要
公開: 2020-08-11
| 更新済み: 2025-01-14
