STMicroelectronics STO67N60x MDmeshパワーMOSFET

STMicroelectronics STO67N60x MDmeshパワーMOSFETは、ツェナー保護およびアバランシェ試験が100%完了しているNチャンネルパワーMOSFETで、スイッチング・アプリケーションに適しています。これらのパワーMOSFETは、スイッチング性能に優れており、ゲート入力抵抗が小さく、旧世代に比べて領域のRDS(on)が低いことが特徴です。STO67N60DM6パワーMOSFETは、高速回復ボディダイオードで、非常に低い回復電荷(Qrr)およびリカバリ時間(trr)と最も効果的なスイッチング動作が組み合わされています。STO67N60M6パワーMOSFETは、LLCコンバータとブーストPFCコンバータでの使用に最適です。

特徴

  • スイッチング損失を低減 (STO67N60M6)
  • 高速リカバリ・ボディ・ダイオード (STO67N60DM6)
  • ゲート入力抵抗が小さい (STO67N60M6)
  • 低ゲート電荷、入力容量、耐性 (STO67N60DM6)
  • 100%アバランシェ試験済み
  • ツェナー保護
  • dv/dt耐久性が極めて高い(STO67N60DM6
  • 長沿面距離パッケージ(STO67N60M6
  • 優れたスイッチング性能

アプリケーション

  • スイッチングアプリケーション
  • LLCコンバータ(STO67N60M6)
  • ブーストPFCコンバータ(STO67N60M6)

概要

STMicroelectronics STO67N60x MDmeshパワーMOSFET
公開: 2020-08-11 | 更新済み: 2025-01-14