STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE パワー MOSFET
STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET™ VII DeepGATE™パワーMOSFETは、クラス最高のオン抵抗と低い内部静電容量およびゲート電荷を組み合わせ、伝導と切替え高率を向上させる、AEC-Q101車載用に評価されたNチャンネル・パワーMOSFETです。TO-220、または2ピン/6ピンH2PAK業界標準パッケージを採用し、ボードサイズの縮小と電力密度の最大化を支援します。また、STH315N10F7 MOSFETは、アバランシェ耐量が高く、潜在的にダメージを受けやすい環境でも耐久力があります。定格電圧100Vで、標準的な過電圧サージに耐久する適切な安全域を提供します。STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE MOSFETは、自動車やスイッチング・アプリケーションの過酷な環境下でのパフォーマンスにも適しています。Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK industry-standard packages, the STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs help designers reduce board size and maximize power density.
特徴
- AEC-Q101 qualified
- Ultra-low RDS(on)
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK packages
アプリケーション
- Switching applications
仕様
- 2.3mΩ maximum drain-source on-resistance (RDS(on))
- 100V drain-source voltage (VDS)
- ±20V gate-source voltage (VGS)
- 180A continuous drain current (ID)
- 720A pulsed drain current (IDM)
- 315W total dissipation at TC = +25°C (PTOT)
- 2.1W/°C derating factor
- 1J single pulse avalanche energy (EAS)
- -55°C to +175°C operating junction and storage temperature range (Tj, Tstg)
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| 部品番号 | データシート | パッケージ/ケース | 取り付け様式 |
|---|---|---|---|
| STH315N10F7-6 | ![]() |
TO-263-7 | SMD/SMT |
| STH315N10F7-2 | ![]() |
H2PAK-2 | SMD/SMT |
| STP315N10F7 | ![]() |
TO-220-3 | Through Hole |
公開: 2014-07-10
| 更新済み: 2022-03-11

