STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6パワーMOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6パワーMOSFETは、高電圧NチャンネルパワーMOSFETで、dv/dt耐久性が極めて高いことが特徴です。このパワーMOSFETは、ツェナー保護およびアバランシェ試験が100%完了している高速リカバリ・ボディ・ダイオードです。STP50N60DM6パワーMOSFETは、低ゲート電荷、低入力静電容量、低抵抗になっており、旧世代に比べて領域のRDS(on)が低く抑えられています。このMOSFETには、非常に低い回復電荷(Qrr)、回復時間(trr)、領域ののRDS(on)と最も効果的なスイッチング挙動の1つが組み合わされています。STP50N60DM6 MDmesh DM6パワーMOSFETは、スイッチング・アプリケーションに最適です。

特徴

  • 高速リカバリボディダイオード
  • 旧世代と比べて領域のRDS(on)がさらに低い
  • 低ゲート電荷、入力容量、耐性
  • 100%アバランシェ試験済み
  • 極めて高いdv/dt耐久性
  • ツェナー保護

概要

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6パワーMOSFET
公開: 2020-08-12 | 更新済み: 2025-01-14