STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaNトランジスタは、効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計された拡張モードのトランジスタです。700Vのドレイン-ソース電圧定格およびわずか80MΩの典型的なオン抵抗が特徴のSTMicroelectronics SGT080R70ILBには、窒化ガリウム(GaN)技術の優れたスイッチング性能が活用されており、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。コンパクトなPowerFLAT 8x8 HVパッケージに格納されたこのトランジスタは、高周波数動作に対応しており、共振コンバータ、力率補正(PFC)段、DC-DCコンバータでの使用に最適です。低いゲート電荷量および出力容量により、より高速な遷移とエネルギー散逸の低減が可能になるため、SGT080R70ILBは、家電、産業用システム、データセンター分野における要求の厳しいアプリケーションに最適です。特徴
- エンハンスメントモード通常オフ・トランジスタ
- 超高速スイッチング
- 高電力管理機能
- 極めて低容量
- 最適なゲート駆動のためのKelvinソースパッド
- 逆回復電荷ゼロ
- ESD保護
- RoHS準拠
アプリケーション
- 家電製品
- 産業用システム
- データセンター
- タブレット、ノートブック、AIO用アダプタ
- USB Type-C® PDアダプタおよび急速充電器
- AC-DCコンバータ
- DC/DCコンバータ
- 共振コンバータ
- 力率補正(PFC)段
仕様
- ドレイン-ソース間最高電圧:700V
- ドレイン-ソース間最高過渡電圧:800V(tp <>
- 最高ゲート-ソース間電圧:-6V ~ 7V
- 最大連続ドレイン電流:29A(+25°C)
- 最大パルスドレイン電流:58A(tp = 10μs)
- 最大総電力損失:188W(+25°C)
- ソース-ドレイン間逆導通電圧:2.3V(typ)
- スイッチング
- ターンオン遅延時間:3ns(typ)
- 4ns 標準立ち上がり時間
- ターンオフ遅延時間:5ns(typ)
- 4ns 標準立ち下がり時間
- 静的
- ドレイン-ソース間最大リーク電流:390μA
- ゲート-ソース間リーク電流: 163μA(typ)
- ゲート閾値電圧範囲:1.2V ~ 2.5V
- ドレイン-ソース間最大静的オン抵抗:80mΩ
- 2kV人体モデル(HBM) ESD保護
- 接合部動作温度範囲: -55°C ~ +150°C
- ダイナミック
- 入力容量:225pF(typ)
- 出力容量:70pF(typ)
- 逆転送静電容量:標準0.5pF
- エネルギー関連等価出力容量:105pF(typ)
- 時間関連等価出力容量:150pF(typ)
- 真性ゲート抵抗:3Ω(typ)
- ゲートプラトー電圧: 2.2V(typ)
- ゲート総電荷:6.2nC(typ)
- ゲートソース電荷:0.5nC(typ)
- ゲート-ドレイン間電荷:2.2nC(typ)
- 逆回復電荷:0nC (typ)
- 出力電荷:60nC(typ)
- 熱抵抗
- 接合部-ケース:0.52°C/W
- 接合部-周囲:33.6°C/W
回路図
テスト回路
公開: 2025-10-20
| 更新済み: 2025-12-04
