STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaNトランジスタは、効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計された拡張モードのトランジスタです。700Vのドレイン-ソース電圧定格およびわずか80MΩの典型的なオン抵抗が特徴のSTMicroelectronics SGT080R70ILBには、窒化ガリウム(GaN)技術の優れたスイッチング性能が活用されており、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。コンパクトなPowerFLAT 8x8 HVパッケージに格納されたこのトランジスタは、高周波数動作に対応しており、共振コンバータ、力率補正(PFC)段、DC-DCコンバータでの使用に最適です。低いゲート電荷量および出力容量により、より高速な遷移とエネルギー散逸の低減が可能になるため、SGT080R70ILBは、家電、産業用システム、データセンター分野における要求の厳しいアプリケーションに最適です。

特徴

  • エンハンスメントモード通常オフ・トランジスタ
  • 超高速スイッチング
  • 高電力管理機能
  • 極めて低容量
  • 最適なゲート駆動のためのKelvinソースパッド
  • 逆回復電荷ゼロ
  • ESD保護
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • 家電製品
  • 産業用システム
  • データセンター
  • タブレット、ノートブック、AIO用アダプタ
  • USB Type-C® PDアダプタおよび急速充電器
  • AC-DCコンバータ
  • DC/DCコンバータ
  • 共振コンバータ
  • 力率補正(PFC)段

仕様

  • ドレイン-ソース間最高電圧:700V
  • ドレイン-ソース間最高過渡電圧:800V(tp <>
  • 最高ゲート-ソース間電圧:-6V ~ 7V
  • 最大連続ドレイン電流:29A(+25°C)
  • 最大パルスドレイン電流:58A(tp = 10μs)
  • 最大総電力損失:188W(+25°C)
  • ソース-ドレイン間逆導通電圧:2.3V(typ)
  • スイッチング
    • ターンオン遅延時間:3ns(typ)
    • 4ns 標準立ち上がり時間
    • ターンオフ遅延時間:5ns(typ)
    • 4ns 標準立ち下がり時間
  • 静的
    • ドレイン-ソース間最大リーク電流:390μA
    • ゲート-ソース間リーク電流: 163μA(typ)
    • ゲート閾値電圧範囲:1.2V ~ 2.5V
    • ドレイン-ソース間最大静的オン抵抗:80mΩ
  • 2kV人体モデル(HBM) ESD保護
  • 接合部動作温度範囲: -55°C ~ +150°C
  • ダイナミック
    • 入力容量:225pF(typ)
    • 出力容量:70pF(typ)
    • 逆転送静電容量:標準0.5pF
    • エネルギー関連等価出力容量:105pF(typ)
    • 時間関連等価出力容量:150pF(typ)
    • 真性ゲート抵抗:3Ω(typ)
    • ゲートプラトー電圧: 2.2V(typ)
    • ゲート総電荷:6.2nC(typ)
    • ゲートソース電荷:0.5nC(typ)
    • ゲート-ドレイン間電荷:2.2nC(typ)
    • 逆回復電荷:0nC (typ)
    • 出力電荷:60nC(typ)
  • 熱抵抗
    • 接合部-ケース:0.52°C/W
    • 接合部-周囲:33.6°C/W

回路図

回路図 - STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ

テスト回路

機械図面 - STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
公開: 2025-10-20 | 更新済み: 2025-12-04