Texas Instruments TPSM63610同期整流降圧DC/DCパワーモジュール

Texas Instruments TPSM63610同期整流降圧DC/DC/パワーモジュールは、パワーMOSFET、シールド付きインダクタ、受動部品をEnhanced HotRod™ QFNパッケージに実装した高集積36V、8A DC/DCソリューションです。デバイスは、VINおよびVOUTピンをパッケージの角に配置し、入力および出力コンデンサの配置を最適化しています。加えて、モジュールの下面は大きな4つのサーマルパッドがあるり、単純なレイアウトおよび製造時の容易な扱いが可能です。

TI TPSM63610モジュールには、1Vから20Vまでの出力電圧があり、小型PCBフットプリントで低EMI設計を迅速かつ簡単に実装できます。このトータルソリューションを使用すると、必要な外付け部品はわずか4個で、設計プロセスで磁気や補償のための部品選択も不要になります。

TPSM63610モジュールは、調整可能な入力電圧UVLO用のヒステリシス付き高精度イネーブル、抵抗によりプログラム可能なスイッチノードのスルーレート、EMI改善のためのスペクトラム拡散機能、スペクトラム拡散オプションなど、堅牢な性能を実現するための多くの機能を備えています。また、VCC、ブートストラップ、入力コンデンサも内蔵しており、信頼性と密度がの向上を実現できます。このモジュールは、全負荷電流範囲(FPWM)にわたって一定のスイッチング周波数に設定、あるいは可変周波数(PFM)に設定して軽負荷時の効率を高めることも可能です。シーケンシング、フォルト保護、出力電圧監視用のPGOODインジケータも内蔵しています。

特徴

  • 機能安全対応
    • 機能安全システムの設計に役立つ資料を利用可能
  • 多用途の36VIN 、8AOUT 同期降圧モジュール
    • MOSFET、インダクタ、コントローラを内蔵
    • 出力電圧を調整可能 1V~20V
    • 6.5mm x 7.5mm × 4mmのオーバーモールドパッケージ
    • 接合部温度範囲 -40°C~+125°C
    • 周波数:200kHz〜2.2MHzの間で調整可能
    • 負出力電圧に対応可能
  • 全負荷範囲にわたって極めて高い効率を実現
    • ピーク効率 95%以上
    • 外部バイアスオプションによる効率の向上
    • 露出パッドによる熱インピーダンスの低減、EVMθJA =18.2°C/W
    • シャットダウン時静止電流 0.6µA(代表値)
  • 非常に小さい伝導および放射EMIシグネチャ
    • デュアル入力パスと内蔵コンデンサを備えた低ノイズパッケージによって、スイッチのリンギングが減少
    • 抵抗によって調整可能なスイッチノードのスルーレート
    • CISPR 11および32 Class Bの放射規格に適合
  • スケーラブルな電源に好適
    • TPSM63608(36V、6A)とピン互換
  • 堅牢な設計のための本質的な保護機能
    • 高精度のイネーブル入力およびオープンドレインのPGOODインジケータによるシーケンシング、制御、VIN UVLO
    • 過電流およびサーマルシャットダウン保護機能
  • WEBENCH Power Designerを使用し、TPSM63610を搭載するカスタム設計を作成

アプリケーション

  • テストと測定、航空宇宙、防衛
  • 工場の自動化と制御
  • 降圧および反転昇降圧電源

標準の回路図

回路図 - Texas Instruments TPSM63610同期整流降圧DC/DCパワーモジュール
公開: 2022-12-27 | 更新済み: 2023-09-15