Vishay / Siliconix SiHG080N60E EシリーズパワーMOSFET
Vishay / Siliconix SiHG080N60E EシリーズパワーMOSFETは、第4世代Eシリーズ技術を活用して低減されているスイッチング損失と導通損失が特徴です。SiHG080N60EパワーMOSFETには、650Vドレイン-ソース間電圧63nC総ゲート電荷があり、TO-247ACパッケージに収められています。SiHG080N60E MOSFETには、低性能指数（FOM）Ron x Qgおよび低実効容量（Co(er)）が備わっています。
Vishay / Siliconix SiHG080N60E EシリーズパワーMOSFETは、サーバー、テレコム電力、スイッチモード（SMPS）、力率補正（PFC）電源に最適です。
特徴
- 第4世代のEシリーズ技術
- 低性能指数 (FOM) Ron x Qg
- 低効果容量（Co(er)）
- スイッチング/伝導ロスの低減
- アバランシェ エネルギー定格（UIS）
アプリケーション
- サーバとテレコムの電源
- スイッチモード電源（SMPS）
- 力率補正電源（PFC）
- 照明
- 高輝度放電（HID）
- 蛍光バラスト照明
- 産業
- 溶接
- 誘導加熱
- モータドライブ
- バッテリ充電器
- ソーラー（PVインバータ）
関連製品
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低FOM、低い実効容量、スイッチング、導通損失の削減が特徴です。
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回路図
公開: 2021-03-10
| 更新済み: 2022-03-11