Vishay / Siliconix SiHH080N60E EシリーズパワーMOSFET
Vishay / Siliconix SiHH080N60E EシリーズパワーMOSFETは、PowerPAK® 8 x 8パッケージに収められた第4世代Eシリーズ技術を実現しています。SiHH080N60E MOSFETには、低性能指数(FOM)Ron x Qgおよび低実効容量(Co(er))が備わっています。Vishay / Siliconix SiHH080N60E EシリーズパワーMOSFETのスイッチング損失と導通損失の低減は、650Vドレイン-ソース間電圧63nC総ゲート電荷によって最適化されています。SiHH080N60E EシリーズパワーMOSFETは、サーバー、テレコム電力、スイッチモード(SMPS)、力率補正(PFC)電源に適しています。
特徴
- 第4世代のEシリーズ技術
- 低性能指数 (FOM) Ron x Qg
- 低効果容量(Co(er))
- スイッチング/伝導ロスの低減
- アバランシェ エネルギー定格(UIS)
アプリケーション
- サーバとテレコムの電源
- スイッチモード電源(SMPS)
- 力率補正電源(PFC)
- 照明
- 高輝度放電(HID)
- 蛍光バラスト照明
- 産業
- 溶接
- 誘導加熱
- モータドライブ
- バッテリ充電器
- ソーラー(PVインバータ)
回路図
公開: 2021-03-10
| 更新済み: 2022-03-11
