Wolfspeed TO-247-4薄型1,200V SiCパワーMOSFET

Wolfspeed TO-247-4薄型1,200Vシリコンカーバイド(SiC)パワーMOSFETは、少ない静電容量での高速スイッチング、および低いオン抵抗での高い阻止電圧が特徴です。これらのパワーMOSFETは、スイッチング損失と冷却要件を減らし、ゲートリンギングを最小限に抑えます。1200V SiCパワーMOSFETは、逆回復電荷(Qrr)が少ない高速真性ダイオードを組み込んでいます。これらのパワーMOSFETは、電力密度およびシステムのスイッチング周波数を高めます。1200V SiCパワーMOSFETは、個別のドライバソースピンを備え、最適済みで、本体が低背のTO-247-4パッケージに封止されています。これらのパワーMOSFETは、ハロゲンフリーおよびRoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、モータ制御、EVバッテリ充電器、高電圧DC/DCコンバータ、ソーラー/ESS、UPS、エンタープライズPSUがあります。

特徴

  • 低オン抵抗での高阻止電圧
  • 低静電容量の高速スイッチング
  • 逆回復電荷(Qrr)が少ない高速真性ダイオード
  • スイッチング損失の低減とゲートリンギングの最小化
  • さらなる高システム効率
  • 冷却要件を削減
  • ヒート シンクの要件を軽減
  • 電力密度を増大
  • システムのスイッチング周波数を増大
  • 個別のドライバソースピンを用いて最適化されたパッケージ
  • 薄型TO-247-4パッケージボディ
  • ハロゲンフリー
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • モーター制御
  • EVバッテリ充電器
  • 高電圧DC/DCコンバータ
  • ソーラー/ESS
  • UPS
  • エンタープライズPSU

スキーム図

回路図 - Wolfspeed TO-247-4薄型1,200V SiCパワーMOSFET
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部品番号 データシート Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Qg - ゲート電荷 Pd - 電力損失 下降時間 上昇時間 標準電源切断遅延時間 ターンオン時の標準遅延時間 取り付け様式
C3M0021120K1 C3M0021120K1 データシート 100 A 35 mOhms 177 nC 405 W 13 ns 39 ns 54 ns 17 ns Through Hole
C3M0032120K1 C3M0032120K1 データシート 69 A 55 mOhms 118 nC 278 W 8 ns 19 ns 24 ns 16 ns Through Hole
C3M0040120K1 C3M0040120K1 データシート 66 A 70 mOhms 94 nC 242 W 8 ns 16 ns 23 ns 13 ns Through Hole
C3M0075120K1 C3M0075120K1 データシート 32 A 135 mOhms 53 nC 145 W 11 ns 22 ns 29 ns 8 ns Through Hole
C3M0160120K1 C3M0160120K1 データシート 17.9 A 280 mOhms 32 nC 103 W 12 ns 9 ns 13 ns 8 ns Through Hole
C3M0016120K1 C3M0016120K1 データシート 115 A 29 mOhms 223 nC 556 W 13 ns 40 ns 62 ns 19 ns Through Hole
公開: 2024-06-20 | 更新済み: 2024-10-04