Wolfspeed TO-247-4薄型1,200V SiCパワーMOSFET
Wolfspeed TO-247-4薄型1,200Vシリコンカーバイド(SiC)パワーMOSFETは、少ない静電容量での高速スイッチング、および低いオン抵抗での高い阻止電圧が特徴です。これらのパワーMOSFETは、スイッチング損失と冷却要件を減らし、ゲートリンギングを最小限に抑えます。1200V SiCパワーMOSFETは、逆回復電荷(Qrr)が少ない高速真性ダイオードを組み込んでいます。これらのパワーMOSFETは、電力密度およびシステムのスイッチング周波数を高めます。1200V SiCパワーMOSFETは、個別のドライバソースピンを備え、最適済みで、本体が低背のTO-247-4パッケージに封止されています。これらのパワーMOSFETは、ハロゲンフリーおよびRoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、モータ制御、EVバッテリ充電器、高電圧DC/DCコンバータ、ソーラー/ESS、UPS、エンタープライズPSUがあります。特徴
- 低オン抵抗での高阻止電圧
- 低静電容量の高速スイッチング
- 逆回復電荷(Qrr)が少ない高速真性ダイオード
- スイッチング損失の低減とゲートリンギングの最小化
- さらなる高システム効率
- 冷却要件を削減
- ヒート シンクの要件を軽減
- 電力密度を増大
- システムのスイッチング周波数を増大
- 個別のドライバソースピンを用いて最適化されたパッケージ
- 薄型TO-247-4パッケージボディ
- ハロゲンフリー
- RoHS準拠
アプリケーション
- モーター制御
- EVバッテリ充電器
- 高電圧DC/DCコンバータ
- ソーラー/ESS
- UPS
- エンタープライズPSU
スキーム図
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| 部品番号 | データシート | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 | Pd - 電力損失 | 下降時間 | 上昇時間 | 標準電源切断遅延時間 | ターンオン時の標準遅延時間 | 取り付け様式 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3M0021120K1 | ![]() |
100 A | 35 mOhms | 177 nC | 405 W | 13 ns | 39 ns | 54 ns | 17 ns | Through Hole |
| C3M0032120K1 | ![]() |
69 A | 55 mOhms | 118 nC | 278 W | 8 ns | 19 ns | 24 ns | 16 ns | Through Hole |
| C3M0040120K1 | ![]() |
66 A | 70 mOhms | 94 nC | 242 W | 8 ns | 16 ns | 23 ns | 13 ns | Through Hole |
| C3M0075120K1 | ![]() |
32 A | 135 mOhms | 53 nC | 145 W | 11 ns | 22 ns | 29 ns | 8 ns | Through Hole |
| C3M0160120K1 | ![]() |
17.9 A | 280 mOhms | 32 nC | 103 W | 12 ns | 9 ns | 13 ns | 8 ns | Through Hole |
| C3M0016120K1 | ![]() |
115 A | 29 mOhms | 223 nC | 556 W | 13 ns | 40 ns | 62 ns | 19 ns | Through Hole |
公開: 2024-06-20
| 更新済み: 2024-10-04

