Wolfspeed 1200V C4MS SiC ディスクリート MOSFET

Wolfspeed 1200V C4MS ディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、ハードスイッチアプリケーションで比類のない性能を発揮します。C4MSファミリは、オーバーシュートやリンギングを最小限に抑えながら高速スイッチングを可能にする、高速でソフトなボディダイオードを採用しています。これにより、エンジニアがアプリケーションで性能を調整・最適化するための設計の自由度が広がります。C4MS ファミリは、C3M デバイスファミリと比較して Eon、ERR、Eoff の損失が改善されており、低い R DS(on)の温度係数も維持しています。このバランスの取れたアプローチにより、ハードスイッチング方式とソフトスイッチング方式の両方の幅広いトポロジにおいて、最高の性能と効率を実現します。

改良されたスイッチング性能に加え、Wolfspeed1200V C4MSファミリは、過渡過電圧機能、高電圧バスでの長寿命化、幅広いゲート電圧互換性を提供し、簡素化されたドロップイン機能を提供します。

特徴

  • 低EonおよびERR
  • 低オーバーシュートとリンギングを実現するソフトボディダイオード
  • 低RDS(on)温度係数
  • 高Ciss/Crss比率
  • 広範なゲート電圧互換性 [-4V ~ 0V/15V ~ 18V]
  • 高過渡電圧耐性
  • U2パッケージは、他の上面冷却(TSC)パッケージを用いたピン-to-ピンに対応
  • ハードスイッチアプリケーションに最適
  • より低い損失によって、より高い安全効率性 スイッチング周波数性と冷却要件を実現
  • システムレベルの価格性能の最適化が可能

アプリケーション

  • 低電圧産業用ドライブ
  • 電源
  • サーボドライブ
  • 急速充電
  • エネルギーストレージシステム
  • ソーラー(商用アプリケーション)

パッケージ

チャート - Wolfspeed 1200V C4MS SiC ディスクリート MOSFET
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部品番号 データシート 説明
C4MS025120J2-TR C4MS025120J2-TR データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS025120K C4MS025120K データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS025120K1 C4MS025120K1 データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS025120U2-TR C4MS025120U2-TR データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS036120J2-TR C4MS036120J2-TR データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS036120K C4MS036120K データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
C4MS036120K1 C4MS036120K1 データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4-LP, Industrial
C4MS036120U2-TR C4MS036120U2-TR データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2), Industrial
C4MS047120J2-TR C4MS047120J2-TR データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET,47mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
C4MS047120K C4MS047120K データシート SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial
公開: 2025-12-02 | 更新済み: 2025-12-19