Wolfspeed CGHV600 6GHz GaN HEMT
Cree CGHV600 6GHz窒化ガリウム（GaN）高度電子移動度トランジスタ（HEMT）は、シリコン（Si）またはガリウム砒素（GaAs）のトランジスタに比べて優れた性能を発揮します。CGHV600 GaN HEMTは、より高い降伏電圧、より高速の飽和電子ドリフト速度、より高い熱伝導率を提供します。これらのトランジスタは、より高い電力密度、より広い帯域幅も実現しています。CGHV600シリーズは、携帯電話インフラストラクチャ、クラスAアンプ、クラスABアンプ、リニアアンプを含むさまざまなアプリケーションで使用するのに理想的なデバイスです。
The CGHV60040D and CGHV60075D5 6.0GHz GaN HEMTs are offered as bare die. The overall die size of the CGHV60040D is 820μm x 1800μm x 100μm. The overall die size of the CGHV60075D5 is 3000μm x 820μm x 100μm.
特徴
- CGHV60040D
- 18dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 40W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 820μm x 1800μm x 100μm bare die
- CGHV60075D5
- 19dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 75W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 3000μm x 820μm x 100μm bare die
アプリケーション
- 2-way private radio
- Broadband amplifiers
- Cellular infrastructure
- Test instrumentation
- Class A, AB, and linear amplifiers for OFDM, W-CDMA, EDGE, and CDMA waveforms
CGHV60040D Mechanical Drawing
CGHV60075D5 Mechanical Drawing
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公開: 2015-03-18
| 更新済み: 2022-03-11