Wolfspeed 1200V E4MS ディスクリートSiC MOSFET
Wolfspeed 1200V E4MS ディスクリート炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、オンボード車載アプリケーションで比類のない性能を発揮します。E4MSファミリは、オーバーシュートやリンギングを最小限に抑えながら高速スイッチングを可能にする、高速でソフトなボディダイオードを採用しています。これにより、エンジニアがアプリケーションで性能を調整・最適化するための設計の自由度が広がります。E4MSファミリは、E3Mファミリデバイスと比較してEon、ERR、Eoff損失を改善すると同時に、R DS（on）の低温度係数を維持します。このバランスのとれたアプローチによって幅広いオンボードトポロジにおいて、最大の性能と効率を実現します。
改良されたスイッチング性能に加え、Wolfspeed1200V E4MSファミリは、過渡過電圧機能、高電圧バスでの長寿命化、幅広いゲート電圧互換性を提供し、簡素化されたドロップイン機能を提供します。E4MSファミリは車載ポートフォリオの一部としてAEC-Q101認定を活用し、PPAPに対応しています。
特徴
- 車載認定（AEC-Q101）を取得済、PPAP対応
- 低EonおよびERR
- 低オーバーシュートとリンギングを実現するソフトボディダイオード
- 低RDS（on）温度係数
- 高Ciss/Crss比率
- 広範なゲート電圧互換性 [-4V ～ 0V/15V ～ 18V]
- 高過渡電圧耐性
- U2パッケージは、他の上面冷却（TSC）パッケージを用いたピン-to-ピンに対応
- ハードスイッチアプリケーションに最適
- より低い損失によって、より高い安全効率性 スイッチング周波数性と冷却要件を実現
- システムレベルの価格性能の最適化が可能
アプリケーション
- OBCおよびDC-DCコンバータ
- 燃料電池DC-DCコンバータ
- 燃料電池インバータ
- オンボードHVAC/バッテリ熱管理
- パワートレインインバータ
- 補助電源
パッケージ
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| 部品番号 | データシート | パッケージ/ケース | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 | Pd - 電力損失 |
|---|---|---|---|---|---|
| E4MS025120J2-TR |  |
TO-263-7XL | 33 mOhms | 125 nC | 330 W |
| E4MS025120K | |
TO-247-4 | 33 mOhms | 125 nC | 281 W |
| E4MS025120U2-TR | |
TO-263-7XL | 33 mOhms | 125 nC | 350 W |
| E4MS036120J2-TR | |
TO-263-7XL | 47 mOhms | 88 nC | 262 W |
| E4MS036120K | |
TO-247-4 | 47 mOhms | 88 nC | 211 W |
| E4MS036120U2-TR | |
TO-263-7XL | 47 mOhms | 88 nC | 274 W |
| E4MS047120J2-TR | |
TO-263-7 | 61 mOhms | 68 nC | 203 W |
| E4MS047120K | |
TO-247-4 | 61 mOhms | 68 nC | 186 W |
| E4MS047120U2-TR | |
TO-263-7 | 61 mOhms | 68 nC | 217 W |
| E4MS065120J2-TR | |
TO-263-7 | 85 mOhms | 51 nC | 163 W |
公開: 2025-12-02
| 更新済み: 2025-12-19