onsemi 900V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET

onsemi 900V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFETには、シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する技術が採用されています。また、低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。その結果、さらなる高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減といったメリットがあります。