onsemi NxHL080N120SC1 NチャンネルSiC MOSFET
onsemi NxHL080N120SC1 NチャンネルSiC MOSFETは、優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現している1200V、80Ω MOSFETです。これらのMOSFETは、オン抵抗が低く抑えられており、低容量と低ゲート電荷が保証されるコンパクトなチップサイズになっています。NxHL080N120SC1 MOSFETは、高効率、高速動作周波数、高速スイッチング、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズの縮小が特徴です。これらのMOSFETは、TO247-3L/TO247-3LDパッケージになっています。NVHL080N120SC1およびNVHL080N120SC1A MOSFETは、AEC-Q101認証に準じた車載グレードの認定を取得しています。
特徴
- 1200V VDSS @ TJ=150°C
- 80mΩドレイン-ソース・オン抵抗（RDS(on)）（標準）
- 低電気容量の高速スイッチング
- 100% UIL試験済
- 動作接合部温度範囲:
- -55°C～150°C（NTHL080N120SC1）
- -55°C～175°C (NVHL080N120SC1、NVHL080N120SC1A)
- 無鉛かつRoHS準拠
アプリケーション
- NVHL080N120SC1:
- 自動車用補助モータ駆動
- 自動車用オンボード充電器
- 電気自動車（EV）/ハイブリッド電気自動車 (HEV) を対象とした車載用DC/DCコンバータ
- NTHL080N120SC1:
- 工業用モータ駆動
- UPS
- ブースト・インバータ
- 太陽光発電（PV）充電器
- NVHL080N120SC1A:
- 自動車用オンボード充電器
- 車載DC/DCコンバータ（電気自動車（EV）/ハイブリッドEV（HEV）用）
ビデオ
NxHL080N120SC1の性能グラフ
関連コンテンツ
onsemi 1200V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET
シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
Learn More About EliteSiC
公開: 2019-03-03
| 更新済み: 2024-01-19