onsemi UG3SC 1,200V 7.6mΩコンボ FET

onsemi UG3SC 1,200V 7.6mΩコンボFETは、1,200V SiC JFETと低電圧Si MOSFETを同一のTO-247-4Lパッケージに収めたものです。この設計によりノーマリーオンの SiC JFETの長所を活かしながら、ノーマリーオフスイッチが可能になります。onsemiのUG3SCコンボFETには、導通損失の低減を目的とした超低オン抵抗 [RDS(on)] と回路保護アプリケーションでの高エネルギースイッチングに必要な堅牢性が備わっています。

特徴

  • 一桁のRDS(on)
  • 通常オフ機能
  • 速度制御の向上
  • 改善された並列デバイス動作(3 + FET)
  • 最大動作温度:+175°C
  • 大パルス電流能力
  • 優れたデバイス堅牢性
  • 優れた熱抵抗を目的に取り付けられた銀焼結ダイ

アプリケーション

  • ソリッドステート/半導体回路ブレーカ
  • ソリッドステート/半導体リレー
  • バッテリ切断
  • サージ保護
  • 突入電流の制御
  • ハイパワースイッチモードコンバータ(>25kW)

回路図

アプリケーション回路図 - onsemi UG3SC 1,200V 7.6mΩコンボ FET
公開: 2024-09-30 | 更新済み: 2025-07-25