ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiCショットキー・バリア・ダイオードは、破壊電圧600Vを供給します。これは、シリコンSBDSの上限を大きく上回っています。AEC-Q101ダイオードには、SiCが活用されており、PFC回路とインバータに最適です。 また、高速スイッチングが有効で、非常に小さな逆リカバリ時間があります。これによって、逆回復電荷の低減、スイッチング損失の削減、最終製品の小型化がもたらされます。AEC-Q101 SiCショットキーバリアダイオードには、650V〜1200Vの逆方向電圧範囲、1.2uA〜260uAの連続順方向電流範囲、48W〜280Wの総電力損失範囲が備わっています。また、最高+175℃までの温度が備わっており、TO-220、TO-247、TO-263パッケージでご用意があります。