ROHM Semiconductor シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス
ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
特徴
- Higher breakdown voltage (up to 10x field strength compared with silicon)
- Higher temperature ranges
- High-speed switching performance (over Silicon IGBTs)
- Lower ON resistance per unit area (significantly improving power loss)
アプリケーション
- Switch-mode power supplies
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies
- Electric vehicle chargers
- Induction heating equipment
- Motor drives
- Trains
- Wind power converters
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公開: 2016-09-27
| 更新済み: 2025-02-20