STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE パワー MOSFET

STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET™ VII DeepGATE™パワーMOSFETは、クラス最高のオン抵抗と低い内部静電容量およびゲート電荷を組み合わせ、伝導と切替え高率を向上させる、AEC-Q101車載用に評価されたNチャンネル・パワーMOSFETです。TO-220、または2ピン/6ピンH2PAK業界標準パッケージを採用し、ボードサイズの縮小と電力密度の最大化を支援します。また、STH315N10F7 MOSFETは、アバランシェ耐量が高く、潜在的にダメージを受けやすい環境でも耐久力があります。定格電圧100Vで、標準的な過電圧サージに耐久する適切な安全域を提供します。STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE MOSFETは、自動車やスイッチング・アプリケーションの過酷な環境下でのパフォーマンスにも適しています。

Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK industry-standard packages, the STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs help designers reduce board size and maximize power density.

特徴

  • AEC-Q101 qualified
  • Ultra-low RDS(on) 
  • Excellent FoM (figure of merit)
  • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
  • High avalanche ruggedness
  • Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK packages

アプリケーション

  • Switching applications

仕様

  • 2.3mΩ maximum drain-source on-resistance (RDS(on))
  • 100V drain-source voltage (VDS)
  • ±20V gate-source voltage (VGS)
  • 180A continuous drain current (ID)
  • 720A pulsed drain current (IDM)
  • 315W total dissipation at TC = +25°C (PTOT)
  • 2.1W/°C derating factor
  • 1J single pulse avalanche energy (EAS)
  • -55°C to +175°C operating junction and storage temperature range (Tj, Tstg)

ビデオ

View Results ( 3 ) Page
部品番号 データシート パッケージ/ケース 取り付け様式
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 データシート TO-263-7 SMD/SMT
STH315N10F7-2 STH315N10F7-2 データシート H2PAK-2 SMD/SMT
STP315N10F7 STP315N10F7 データシート TO-220-3 Through Hole
公開: 2014-07-10 | 更新済み: 2022-03-11