Toshiba U-MOSIII MOSFET
Toshiba U-MOSIII MOSFETは、シングルおよびデュアルチャンネルMOSFETで、ハイスピード・スイッチングアプリケーションに最適です。これらのMOSFETは、ドレイン-ソース間のON抵抗と電圧ゲートドライブが低く抑えられています。
特徴
- 駆動電圧の種類: 論理レベルのゲート駆動
- 最大ドレインソース間ONオン抵抗 (RDS(ON)): 0.0135Ω～6.0ω（@VGS = -2.5V）
- ドレイン-ソース電圧 (VDSS): -20V～+30V
- ゲート-ソース電圧 (VGSS): ±8V～±10V
- ドレイン電流 (ID): -14A～4.2A
- 電力散逸 (PD): 0.1W～1.25W
- 入力容量 (CISS): 12pF～3350pF
アプリケーション
- スイッチング電圧レギュレータ
- DC/DCコンバータ
アプリケーションノート
- バイポーラトランジスタ: 電気特性
- バイポーラトランジスタ: 最大定格
- バイポーラトランジスタ: 用語
- バイポーラトランジスタ: 熱安定性と設計
- ディスクリート半導体デバイスの温度計算
- MOSFET安全動作領域のディレーティング
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート1
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート2
- ディスクリート半導体デバイスの熱設計のヒントとコツ: パート3
- IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
- MOSFETへのDv/dtレートの影響
- MOSFETアバランシェの堅牢性
- MOSFETゲートドライブ回路
- MOSFETの並列化（並列パワーMOSFETの間での寄生発振）
- MOSFETの自己ターンオン現象
- 寄生発振とパワーMOSFETのリンギング
- パワーMOSFET: 最大定格
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