Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V (D-S) MOSFET
Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V(D-S)MOSFETには、TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET技術が活用されています。SiR186LDP MOSFETは、超低RDS Qg性能指数(FOM)が特徴で、最低レベルのRDS Qoss FOMに合うように調整されています。Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V(D-S)MOSFETは、同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、モーター駆動スイッチの各アプリケーションに最適です。特徴
- TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
- 超低RDS - Qg性能指数(FOM)
- 最も低いRDS - Qoss FOMに調整済
- 100% RgのUIS試験済
アプリケーション
- 同期整流
- 一次側スイッチ
- DC/DCコンバータ
- モーター駆動スイッチ
回路図
公開: 2021-03-11
| 更新済み: 2022-03-11
