Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V(D-S)MOSFETには、TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET技術が活用されています。SiR186LDP MOSFETは、超低RDS Qg性能指数(FOM)が特徴で、最低レベルのRDS Qoss FOMに合うように調整されています。Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V(D-S)MOSFETは、同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、モーター駆動スイッチの各アプリケーションに最適です。

特徴

  • TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
  • 超低RDS - Qg性能指数(FOM)
  • 最も低いRDS - Qoss FOMに調整済
  • 100% RgのUIS試験済

アプリケーション

  • 同期整流
  • 一次側スイッチ
  • DC/DCコンバータ
  • モーター駆動スイッチ

回路図

アプリケーション回路図 - Vishay / Siliconix SiR186LDP Nチャンネル60V (D-S) MOSFET
公開: 2021-03-11 | 更新済み: 2022-03-11