Vishay SISS7xDN TrenchFET MOSFET
Vishay SISS7xDN-T1-GE3 TrenchFET MOSFETには、ThunderFETテクノロジを採用しているTrenchFET®が活用されており、RDS、QG、QSW、QOSSのバランスを最適化できます。これらのMOSFETは、100% Rgおよび非圧着誘導スイッチング（UIS）の試験済です。SISS7xDN TrenchFET MOSFETは、一次側スイッチング、同期整流、DC/DCコンバータ、モータ駆動制御、負荷スイッチのアプリケーションに見られます。これらのMOSFETは、PowerPAK 1212-8Sパッケージでご用意があります。
アプリケーション
- 一次側スイッチング
- 同期整流
- DC/DCコンバータ
- モータ駆動制御
- 負荷スイッチ
SISS7xDN TrenchFET MOSFETの回路図
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| 部品番号 | データシート | 説明 | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Qg - ゲート電荷 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | トランジスタ タイプ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SISS72DN-T1-GE3 |  |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 150 V | 25.5 A | 22 nC | 42 mOhms | 1 N-Channel |
| SISS70DN-T1-GE3 | |
MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S | 125 V | 31 A | 15.3 nC | 29.8 mOhms | 1 N-Channel |
公開: 2018-08-21
| 更新済み: 2023-03-06