Vishay General Semiconductor V8PAM10S Trench MOSバリアショットキー整流器

Vishay V8PAM10S Trench MOSバリアショットキー（TMBS）整流器には、90A最大ピーク順方向サージ電流（I_FSM）をともなう100V最高繰り返しピーク逆電圧（V_RRM）が備わっています。これらの整流器は、非常に低背で、自動位置決めに最適です。これらのデバイスには、VishayのTrench MOSショットキー技術が採用されており、順方向電圧降下が低く、電力損失が低く、効率性の高い動作になっています。Vishay V8PAM10Sはそれぞれ、AEC-Q101認定品でご用意があります。これらの機能によって、商業および車載アプリケーションにおける高周波インバータ、フリーホイーリング、DC/DCコンバータ、極性保護での使用に最適です。