IPA70R600P7SXKSA1

Infineon Technologies
726-IPA70R600P7XKSA1
IPA70R600P7SXKSA1

メーカ：

詳細：
MOSFET CONSUMER

データシート:
ECADモデル:
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Infineon Technologies IPA70R600P7SXKSA1の詳細を読む

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥179.2 ¥179
¥90.7 ¥907
¥84.8 ¥8,480
¥69.6 ¥34,800
¥65 ¥65,000
¥57.6 ¥288,000
¥50.1 ¥1,252,500

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
700 V
8.5 A
600 mOhms
- 16 V, 16 V
2.5 V
10.5 nC
- 40 C
+ 150 C
24.9 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
ブランド: Infineon Technologies
構成: Single
下降時間: 23 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5.5 ns
シリーズ: CoolMOS P7
工場パックの数量: 500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 63 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 14 ns
別の部品番号: IPA70R600P7S SP001499700
単位重量: 2 g
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選択した属性: 0

データシート

Application Notes

Product Catalogs

SPICE Models

Test/Quality Data

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JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

700V CoolMOS™ P7パワートランジスタ

Infineon CoolMOS™ 700V P7パワートランジスタは、高電圧パワーMOSFET向けの革命的な技術であるCoolMOSが特徴です。この700Vは、スーパージャンクション（SJ）の原理に従って設計され、InfineonTechnologiesによって開発されています。最新の700V CoolMOS P7は、充電器、アダプタ、照明、TVその他といった消費者市場におけるコスト重視のアプリケーションをターゲットにカスタマイズされた最適化プラットフォームです。
詳細

CoolMOS™7スーパージャンクションMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 スーパージャンクションMOSFETは、エネルギー効率、電力密度、使いやすさのための新基準を設定します。CoolMOS 7技術は、特定のアプリケーション向けに最適化されており、革新的なパッケージ概念とさまざまな技術が搭載されています。CoolMOS 7 MOSFETは、電気自動車の充電ステーションを、より高い出力でさらなる小型化を実現し、自動車充電の高速化を図る際に適しています。CoolMOS 7のおかげで、新世代のアダプタと充電器は、さらなる小型化、軽量、効率性を実現しています。CoolMOS 7を使用するとエンジニアは、再生可能エネルギーシステムを安価で効率的にできます。

USB-C充電器およびアダプタ

Infineon Technologiesは、価格性能比と（極めて）高い電力密度のバランスなど、お客様のプライオリティを考慮したテーラーメイドの半導体を提供します。ポートフォリオは、HV/LVパワースイッチからPWMコントローラ、電力供給用のUSB-Cコントローラ、ESD保護デバイスまで、USB-C™ 電源製品チェーン全体で構成されています。

CoolMOS™スーパージャンクションMOSFET

Infineon CoolMOS™ パワートランジスタは、高速スイッチングSJ MOSFETの全メリットを実現しています。CoolMOS 7の導入により、Infineonは、価格、性能、品質の基準を引き続き設定しています。

パワーの違いを体験する

インフィニオンは、パワー半導体市場のリーダーです。20年以上の経験を持ち、画期的なCoolMOS™ スーパージャンクションMOSFETテクノロジーの革新者であるInfineonは、電源管理分野での先駆者としての地位を維持しています。お客様は、業界で最も幅広いシリコンベースのSJ MOSFETポートフォリオから、個々の設計およびシステム要件に応じて選択できます。主要な3つの電源テクノロジーをすべて網羅している数少ないメーカーの一つとして、Infineonは革新的なワイドバンドギャップ（WBG）製品をこのポートフォリオに追加しています。この製品には、炭化ケイ素ベースのCoolSiC™ MOSFET、対応するダイオード、および窒化ガリウムベースのCoolGaN™ e-mode HEMTが含まれています。優れたコストパフォーマンスから比類のない堅牢性、そして最高クラスのデバイスまで、さまざまなソリューションが提供されています。これにより、顧客はより効率的で環境に優しく、持続可能なアプリケーションを構築できます。

CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETは、使い勝手の良さに優れたベストインクラスの価格/性能比を実現しており、さまざまなアプリケーションの課題に対処できます。700Vおよび800V CoolMOS P7パワーMOSFETは、アダプタや充電器、照明、オーディオ用スイッチング電源、補助電源、産業用電源など、フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション用に開発されました。600V CoolMOS P7パワーMOSFETは、低消費電力だけでなくソーラーインバータ、サーバ、テレコム、EV充電スタンドといったハイパワーSMPSアプリケーションをターゲットにしています。P7 MOSFETは、ハードスイッチングとソフトスイッチング・トポロジ向けに完全に最適化されています。

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