疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。

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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
データシート
557在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 200

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
データシート
346在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 5


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
データシート
86在庫
270予想2026/05/05
最低： 1
複数： 1
最大： 136

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
130在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 5

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
データシート
240在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 36

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
データシート
215在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
データシート
198予想2026/08/18
最低： 1
複数： 1
最大： 66

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
データシート
在庫なし
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 480
複数： 480

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 1
複数： 1

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 480
複数： 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 480
複数： 480