疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。

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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
272在庫
2,880予想2026/09/11
最低： 1
複数： 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
257在庫
最低： 1
複数： 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
データシート
230在庫
最低： 1
複数： 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
291在庫
2,500予想2026/09/07
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
480予想2026/07/22
最低： 1
複数： 1

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
データシート
956予想2026/10/07
最低： 1
複数： 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 1
複数： 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
データシート
在庫なし
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 480
複数： 480

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 480
複数： 480

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball BGA, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 480
複数： 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 480
複数： 480