TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET

Renesas Electronics 650V TP65H030G4Px 30mΩ窒化ガリウム（GaN）FETは、TOLT、TO247、TOLLパッケージでご用意があります。最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧のシリコンMOSFETを組み合わせ、優れた性能、スタンダードドライブ、容易な採用と高い信頼を可能にしているGen IV Plus SuperGaN^® プラットフォームを使用しています。