600V CoolMOS P7パワートランジスタ

Infineon 600V CoolMOS P7パワートランジスタは第7世代デバイスで、高電圧パワーMOSFET向けの革命的な技術が活用されています。このトランジスタは、スーパージャンクション（SJ）の原理に従って設計され、Infineon Technologiesによって開発されています。600V CoolMOS P7には、高速スイッチングSJ MOSFETのメリットと、優れた使い勝手が組み合わされています。600V P7は、非常に低いリンギング傾向、硬質転流に対するボディダイオードの優れた堅牢性と優れたESD性能が特徴です。スイッチング損失と導通損失が極端に低いため、スイッチングアプリケーションの効率、コンパクト、軽量、低冷却性がさらに向上します。
詳細

結果: 61
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
217在庫
240予想2026/02/16
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
130在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
174在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
42,720取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
2,947取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
5,500取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
906予想2026/07/23
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,601予想2026/05/14
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
1,000予想2026/03/02
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
227予想2026/07/03
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube