DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

結果: 113
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 105 nC 230 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 890 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 795 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel