Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET

Infineon CoolSiC™ MOSFETは、最先端のtrench半導体プロセスで構築されており、アプリケーションでの最低レベルの損失と、動作での最高レベルの信頼性の両方を実現できるように最適化されています。TOおよびSMD筐体のディスクリートCoolSiCポートフォリオは、650V、1,200V、1,700V電圧クラスになっており、オン抵抗定格は27mΩ ～最大1,000mΩ です。CoolSiC trench技術によって、各製品ポートフォリオにおけるアプリケーション固有の機能の実装に使用される柔軟性に富んだパラメータセットが実現します。これらの機能には、ゲート-ソース電圧、アバランシェ仕様、短絡機能、またはハード整流に定格された内部ボディダイオードがあります。

Infineon CoolSiC MOSFETは、ディスクリートパッケージに収められており、力率補正（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバータまたはDC-ACインバータのようなハードスイッチングおよび共振スイッチング・トポロジの両方に最適です。不要な寄生電源ON効果に対する優れた耐性によって、ブリッジトポロジでゼロボルトの電源OFF電圧であってもベンチマークの低い動的損失を生み出します。Infineon TOおよびSMDの製品ラインには、最適化されたスイッチング性能のためのKelvinソースピンが装備されています。

Infineonは、超高速SiC MOSFETスイッチング機能のニーズを満たす広範に選択されたドライバIC製品に対応できるSiCディスクリート製品を完成させます。これとともに、CoolSiC MOSFETおよびEiceDRIVER™ゲートドライバICには、向上した効率性、省スペース、軽量化、パーツ数の削減、システム信頼性の向上といったSiC技術の利点が活用されています。

技術特性

•ゲート酸化物の優れた信頼性
•安定した堅牢なボディダイオード
•サーボドライブなどのハードスイッチングトポロジでの優秀性
•高速スイッチング速度での最低スイッチング損失
•寄生ターンオン効果に対する堅牢性による簡単なデザインイン
•短絡評価3μs
•優れたソフトスイッチングトポロジ（例：EV充電）
•最低スイッチング損失と容易なデザインイン
•0Vターンオフを適用可能

アプリケーションのメリット

• ソーラーアプリケーションにおけるCoolSiC MOSFET
•同じインバータ重量でのインバータ電力を2倍
• Siベースの代替品と比較して高動作温度での効率性を大幅に低減
•最大係数2.5で電力密度の向上を実現
• 99%以上の最大効率を表示
• エネルギー貯蔵システムのCoolSiC MOSFET
•最大50%まで損失を削減
•バッテリーサイズを増大することなく最大2%までエネルギーを増加
• サーバーと電気通信電力でのCoolSiC™ MOSFET
•損失を最大30%まで削減
•到達の密度を倍増
• EV充電のCoolSiC™ MOSFET
•充電時間を半分に削減
•部品数を50%削減しながらも効率性を促進
•より高い効率によって所有コストを削減
•冷却労力を削減

xEVアプリケーション

• メインインバータのメリット
•バッテリの使用率を5 ~ 10%増加
•システムサイズを最大80%まで削減するための電力密度を増大
• Si-IGBTに比べて軽負荷状態での導通損失を低減
• オンボード充電器のメリット
•より小さな双方向3相充電器
•高速スイッチングによる受動部品の小型化に役立つ
•最大1%のPFCおよびDC/DC段での効率を強化
• HV DC/DCコンバータのメリット
•より高いスイッチング周波数を提供
•電力密度を強化
•統合のレベルを向上