CoolSiC™ MOSFET

Infineon CoolSiC™ MOSFETは、最先端のtrench半導体プロセスで構築されており、アプリケーションでの最低レベルの損失と、動作での最高レベルの信頼性の両方を実現できるように最適化されています。TOおよびSMD筐体のディスクリートCoolSiCポートフォリオは、650V、1,200V、1,700V電圧クラスになっており、オン抵抗定格は27mΩ ～最大1,000mΩ です。CoolSiC trench技術によって、各製品ポートフォリオにおけるアプリケーション固有の機能の実装に使用される柔軟性に富んだパラメータセットが実現します。これらの機能には、ゲート-ソース電圧、アバランシェ仕様、短絡機能、またはハード整流に定格された内部ボディダイオードがあります。

結果: 30
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
323在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
617在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
データシート
368在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
240在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
8,805在庫
3,000予想2027/03/04
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 500
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
849在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
3,844在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 A 189 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
データシート
4,390在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
364在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,467在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
1,516在庫
1,000予想2026/09/28
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 41 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
2,512在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 13 A 294 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
950在庫
1,000予想2026/09/17
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 100
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 468 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 5.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
データシート
375在庫
720予想2026/10/28
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
334在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
473在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
データシート
297在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 350 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
323在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
69在庫
10,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
データシート
57在庫
2,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
データシート
480予想2026/10/08
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
データシート
142在庫
240予想2026/10/29
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
データシート
472在庫
240予想2027/04/08
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
71在庫
1,680予想2026/09/01
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
データシート
5在庫
960予想2026/09/01
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC