Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC評価ボード
Infineon Technologies EVAL 2ED2101 HB-LLC評価ボードは、SOI高圧側および低圧側2ED2101S06Fゲートドライバのスイッチング性能の実証に使用します。2ED2101S06Fは、高電圧・高速パワーMOSFETおよびIGBTドライバで、500kHz範囲での共振タンクスイッチング周波数が備わっている独立した高圧側および低圧側リファレンス出力チャンネルが搭載されています。
Infineon EVAL 2ED2101 HB-LLC評価ボードを使用すると、さらに迅速な市場参入を目的としたラピッドプロトタイピングと市場投入までの時間短縮を実現できます。
特徴
- 入力電圧350～425VDC
- 16.7Aで最大200W、400VDC電力入力、空気流冷却に十分
- 過電流保護
- パワーアップLEDレポート
- コントローラボード（ICE2HS01G）
- 二次側供給用の絶縁型13Vおよび5Vの補助電源
- PCBは65mm × 137mm、4層、2oz銅
- RoHS準拠
必要な機器
- 高電圧電源（最低430VDC、1A電流能力）
- 最大16.7Aの負荷電流（電気負荷）または0.71Ω総抵抗の抵抗負荷
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ブロック図
部品レイアウト
公開: 2021-04-14
| 更新済み: 2022-03-11