Infineon Technologies EVAL_MTR_48V150A_GaN評価ボード
インフィニオン (Infineon) EVAL_MTR_48V150A_GaN 評価ボードは、大電流アプリケーションにおけるCoolGaN™ 80V G3 トランジスタの機能を実証するために設計された、高性能・低電圧のモータドライブプラットフォームです。システム開発エンジニア向けに開発された本ボードは、最大48V/150Aのモータドライブ開発をサポートしており、次世代のブラシレスDC（BLDC）および永久磁石同期（PMSM）モータシステムに最適です。本ボードは、ハーフブリッジ構成に合計8個のCoolGaN トランジスタを並列実装しており、50kHz〜100kHzのスイッチング周波数において、最大99%の高効率動作を可能にします。
電力段を補完するのは、高速かつ精密なGaNスイッチングに最適化されたインフィニオンの1EDN7116U TDI EiceDRIVER™ ゲートドライバと、サポートされているすべてのスイッチング周波数において正確な相電流測定を可能にする3つのXENSIV™ TLE4972 磁気電流センサです。本ボードは14V〜66Vのバッテリ入力範囲に対応しており、110A〜160Aの電流レベルで0V〜19.5VのAC出力を生成することで、過酷な負荷条件下での現実的な評価を可能にします。全体として、EVAL_MTR_48V150A_GaN は、コンパクトで高効率なGaNベースのモータドライブソリューションを求めるエンジニアにとって、包括的なリファレンスデザインの役割を果たします。
特徴
- IGC025S08S1 CoolGaN 80V トランジスタ（最大 2.5mΩ、3mm × 5mm PQFNパッケージ）
- 1EDN71x6U EiceDRIVER ゲートドライバ（GaN トランジスタおよびMOSFET用）
- TLE4972 XENSIV磁気式電流センサ（ACおよびDC電流用）
- 48Vの公称入力電圧
- 135mm × 90mm PCB（銅箔厚 70µm/2オンス、12層）による高電力密度設計
- 低等価直列抵抗（ESR）および大電流リップル対応のためのセラミックコンデンサによるDCリンク
- ナノ秒単位のスイッチング遷移を可能にし、オーバーシュートを最小限に抑える最適化されたパワーループ インダクタンス
- 3.3Vおよび12V 補助電源を内蔵
- 選択可能な過電流検出（OCD）：492Aまたは834A
- ヒートシンクおよび取り付け金具をキットに同梱
アプリケーション
- 低電圧・大電流モータドライブ開発
- フィールド指向制御（FOC）モータドライブシステム
- GaN技術を使用した高効率モータドライブ
- 次世代モータ設計のプロトタイピング
- 高出力 BLDC/PMSM モータシステムの試験および評価
- 精密電流測定
- バッテリ駆動モータシステム
- GaN パワーエレクトロニクスの研究および教育
仕様
- 48V入力（範囲：14V～66V）
- 出力：0VAC to 19.5VAC
- スイッチング周波数範囲：50kHz～100kHz
- 電流範囲：110A～160A
- 最大効率：99%
- 動作温度範囲: 0°C～+85°C
- 135mm x 90mm x 18mmサイズ
ブロック図
概要
オンボード部品
Infineon Technologies CoolGaN™ G3トランジスタ
高電力密度アプリケーションにおいて優れた性能を発揮するよう設計されています。
Infineon Technologies TLE4972 XENSIV™磁気コアレス電流センサ
測定された電流に比例したセンサ信号と過電流を検出するため2本のピンを内蔵。
公開: 2026-01-15
| 更新済み: 2026-01-28