MACOM GaN HEMTベースのMMIC

Cree GaN(窒化ガリウム)HEMT(高電子移動度トランジスタ)ベースのMMIC(モノリシック マイクロ波集積回路)により、小型フットプリントのパッケージで極めて広い帯域幅を達成できます。GaNは、シリコンやガリウムヒ素に比べて優れた特性を備えています。これには、高絶縁破壊電圧、高飽和電子ドリフト速度、高熱伝導率などがあります。またGaN HEMTは、SiやGaAsのトランジスタに比べて高い電力密度と広い帯域幅を備えています。