MACOM XバンドGaN HEMTs & MMIC

Wolfspeed/Cree XバンドGaN HEMT & MMICワイドバンドギャップは、GaAsベースのデバイスと比較して、破壊電界を5倍、電力密度を10～20倍に増大させます。 Cree GaNコンポーネントは、より小型で、同じ動作電力用のより低い容量があります。つまり、アンプはより広い帯域幅で動作し、良好な入出力整合を示すことができます。 Xバンドパワーアンプは、GaN HEMTおよびMMICの重要な利点のために、非効率的なGaAs pHEMTならびに信頼性の低い走行波管から距離を置いています。

MACOM GaN HEMTs and MMICs feature a wide bandgap that increases the breakdown field by 5x and the power density by a factor of 10 to 20 compared to GaAs-based devices. The GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. They can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. Typical applications include weather, defense and commercial-based systems, air traffic control, and fire control.

特徴

MMICs
- Multi-stage
- Variety of power levels
- High gain
- High efficiency

IM-FETs
- 50Ω building blocks in support of higher power systems
- Highly accurate modeling support
- Maximum flexibility to optimize amplifier design