NXP Semiconductors MRF1K50H 1500W RFパワートランジスタ

NXP MRF1K50H 1500W RFパワートランジスタには、優れた耐久性と熱性能を持つ最高のRF出力電力が組み合わされています。このトランジスタは、50Vで1.50 kW CWを供給するように、高電力RFアンプでのトランジスタの数を減少させるように設計されています。MRF1K50Hには、1.8～500MHzを使用した広い周波数範囲が可能になる比類のない入力と出力設計です。アプリケーションには、粒子加速器、産業用溶接機、ラジオ、VHFテレビ放送送信機、アマチュア無線用リニアアンプを対象としたレーザーおよびプラズマ源があります。

特徴

Housed in a NI-1230 air-cavity ceramic package
Extreme Ruggedness, 65:1 VSWR
High drain-source avalanche energy absorption capability
Unmatched input and output allows wide frequency range utilization
Can be used single-ended or in a push-pull configuration

Characterized from 30V to 50V for ease of use
Suitable for linear applications
Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
RoHS compliant

アプリケーション

Industrial, Scientific, Medical (ISM)
- Laser generation
- Plasma etching
- Particle accelerators
- MRI and other medical applications
- Industrial heating, welding, and drying systems
Broadcast
- Radio broadcast
- VHF TV broadcast

Aerospace
- VHF Omnidirectional Range (VOR)
- HF and VHF communications
- Weather radar
Mobile radio
- VHF and UHF base stations

仕様

50V_DC maximum operating voltage
230MHz frequency
Typical capacitance
- 3.48pF reverse transfer
- 205pF output
- 664pF input
22.5dB to 25.5dB power gain range
74.0% typical drain efficiency
-9dB maximum input return loss

50V test voltage
Junction to case
- 0.10°C/W thermal resistance
- 0.028°C/W thermal impedance
>65:1 VSWR at all phase angles
Temperature ranges
- -40°C to +150°C case operating
- -40°C to +225°C operating junction
- -65°C to +150°C storage