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onsemi SuperFET® V MOSFET

onsemi SuperFET® V MOSFETは、第5世代の高電圧スーパージャンクション (SJ) MOSFETです。これらのデバイスは、当該クラスで最高レベルのメリット指数 (FoM) (RDS(ON)·QG およびRDS(ON)·EOSS) を実現しており、重負荷だけでなく軽負荷の効率性も向上できます。600V SuperFET V MOSFETは、導通損失とスイッチング損失の両方の低減によって設計上の利点を提供すると共に、極めて高い120V/nsのMOSFET dVDS/dtをサポートします。SuperFET V MOSFET高速シリーズは、システム効率性および電力密度の最大化に貢献します。SuperFET V MOSFET Easy Driveシリーズには、優れたスイッチング性能が組み合わされており、ハードおよびソフト両方のスイッチングトポロジの使いやすさも妥協していません。代表的なアプリケーションには、テレコミュニケーション、クラウドシステム、工業があります。

特徴

  • 低スイッチング損失
  • 100%アバランシェ試験済み
  • ドレイン・ソース電圧：600VDSS
  • 650V @ TJ = 150°C
  • 良好なシステム効率性
  • RoHS準拠
  • NTHL041N60S5H パワーMOSFET：
    • ボディダイオードが堅牢な高速スイッチング性能
    • 超低ゲート電荷 (Qg)：108nC（標準）
    • 643pF（標準）低効率出力容量
    • RDS(on) ：32.8mΩ（標準）
  • NTHL099N60S5 パワーMOSFET：
    • 最適化された静電容量
    • 超低ゲート電荷 (Qg)：48nC（標準）
    • 642pF（標準）低時間関連の出力容量
    • RDS(on) ：79.2mΩ（標準）

アプリケーション

  • 電気通信
  • サーバー電源装置
  • クラウドシステム
  • UPS
  • 産業用電源
  • EV充電器

データシート

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部品番号 データシート Id - 連続ドレイン電流 Pd - 電力損失 Qg - ゲート電荷 Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース チャンネル数 トランジスタ極性 技術 取り付け様式 RoHS - マウサー
NTHL099N60S5 NTHL099N60S5 データシート 33 A 184 W 48 nC - 30 V, 30 V 4 V 600 V 99 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole E
NTD280N60S5Z NTD280N60S5Z データシート 13 A 89 W 17.9 nC - 20 V, 20 V 4 V 600 V 280 mOhms 1 Channel N-Channel Si SMD/SMT Y
NTHL120N60S5Z NTHL120N60S5Z データシート 28 A 160 W 40 nC - 20 V, 20 V 4 V 600 V 120 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole Y
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H データシート 57 A 329 W 108 nC - 30 V, 30 V 4.3 V 600 V 41 mOhms 1 Channel N-Channel Si Through Hole E
NTMT061N60S5H NTMT061N60S5H データシート 41 A 250 W 73.6 nC 30 V 4.3 V 600 V 61 mOhms 1 Channel N-Channel Si SMD/SMT Y
公開: 2021-08-27 | 更新済み: 2025-10-06