ROHM Semiconductor NチャンネルSiCパワーMOSFET
ROHM NチャンネルSiCパワーMOSFETにはスイッチング中のテール電流が存在せず、より高速な動作とスイッチング損失の低減をもたらします。 さらに、低オン抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。 SiCは最小オン抵抗を増大させ、標準シリコンデバイスに比べてパッケージの小型化と省電力化を実現しており、温度上昇に合わせてオン抵抗を2倍以上にできます。
SiC MOSFETの特性は、医療用画像処理装置で特に価値があります。ほぼ瞬時のスイッチング能力により、メーカーは、検査中の放射線被爆をより制御しながら高品質な検査結果の得られる、X線装置向け高電圧スイッチの構築が可能になります。製造においては、ROHM SCT2080KE MOSFETは、急峻な立ち上がり時間により生産性を向上させ、パルス発生器の効率性を改善します。
特徴
- 低オン抵抗
- 650V：120mΩ
- 1200V：80mΩ〜450mΩ
- 1700V：750mΩ〜1150mΩ
- 高速スイッチング速度
- 電力損失の大幅な低減
- 並列が容易
- シンプルな駆動
- 無鉛メッキ加工
- 高速リバースリカバリ
- RoHS準拠
アプリケーション
- スイッチモード電源
- ソーラーインバータ
- 補助電源
- EV充電
- 誘導加熱
- モータードライブ
- 鉄道
- 風力発電コンバーター
ビデオ
Development Tools
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