ROHM Semiconductor SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7ピンMOSFET

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7ピンMOSFETには、独自のトレンチゲート構造が活用されており、プレーナ型SiC MOSFETを使用してON抵抗を50%および入力容量を35%低減できます。MOSFETには、ドライバと電源ピンを分離する追加のピンが搭載されており、Vgsを低減するインダクタンス・コンポーネントの効果が排除され、さらなる高速スイッチング速度が保証されます。ROHM SemiconductorトレンチタイプMOSFETは、高電圧抵抗、低ON抵抗、高速スイッチング速度、シンプルな駆動、簡単な並列が特徴です。

特徴

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチング速度
  • 高速リバースリカバリ
  • 並列が容易
  • 駆動がシンプル
  • 無鉛リードめっき
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • ソーラーインバータ
  • DC/DCコンバータ
  • スイッチモード電源
  • 誘導加熱
  • モータドライブ

仕様

  • SCT3xxxAW7
    • ドレイン-ソース間電圧 650V
    • ドレイン-ソース間オン状態抵抗(標準)
      • 30mΩ (SCT3030AW7)、60mΩ (SCT3060AW7)、80mΩ (SCT3080AW7)、120mΩ (SCT3120AW7)
    • ドレイン電流
      • 70A (SCT3030AW7)、38A (SCT3060AW7)、29A (SCT3080AW7)、21A (SCT3120AW7)
    • 総電力損失
      • 267W (SCT3030AW7)、159W (SCT3060AW7)、125W (SCT3080AW7)、100W (SCT3120AW7)
  • SCT3xxxKW7
    • ドレイン-ソース間電圧 1,200V
    • ドレイン-ソース間オン状態抵抗(標準)
      • 40mΩ (SCT3040KW7)、80mΩ (SCT3080KW7)、105mΩ (SCT3105KW7)、160mΩ (SCT3160KW7)
    • ドレイン電流
      • 56A (SCT3040KW7)、30A (SCT3080KW7)、23A (SCT3105KW7)、17A (SCT3160KW7)
    • 総電力損失
      • 267W (SCT3040KW7)、159W (SCT3080KW7)、125W (SCT3105KW7)、100W (SCT3160KW7)

回路図

アプリケーション回路図 - ROHM Semiconductor SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7ピンMOSFET
公開: 2020-10-16 | 更新済み: 2024-10-22