ROHM Semiconductor SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7ピンMOSFET
ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7ピンMOSFETには、独自のトレンチゲート構造が活用されており、プレーナ型SiC MOSFETを使用してON抵抗を50%および入力容量を35%低減できます。MOSFETには、ドライバと電源ピンを分離する追加のピンが搭載されており、Vgsを低減するインダクタンス・コンポーネントの効果が排除され、さらなる高速スイッチング速度が保証されます。ROHM SemiconductorトレンチタイプMOSFETは、高電圧抵抗、低ON抵抗、高速スイッチング速度、シンプルな駆動、簡単な並列が特徴です。特徴
- 低オン抵抗
- 高速スイッチング速度
- 高速リバースリカバリ
- 並列が容易
- 駆動がシンプル
- 無鉛リードめっき
- RoHS準拠
アプリケーション
- ソーラーインバータ
- DC/DCコンバータ
- スイッチモード電源
- 誘導加熱
- モータドライブ
仕様
- SCT3xxxAW7
- ドレイン-ソース間電圧 650V
- ドレイン-ソース間オン状態抵抗(標準)
- 30mΩ (SCT3030AW7)、60mΩ (SCT3060AW7)、80mΩ (SCT3080AW7)、120mΩ (SCT3120AW7)
- ドレイン電流
- 70A (SCT3030AW7)、38A (SCT3060AW7)、29A (SCT3080AW7)、21A (SCT3120AW7)
- 総電力損失
- 267W (SCT3030AW7)、159W (SCT3060AW7)、125W (SCT3080AW7)、100W (SCT3120AW7)
- SCT3xxxKW7
- ドレイン-ソース間電圧 1,200V
- ドレイン-ソース間オン状態抵抗(標準)
- 40mΩ (SCT3040KW7)、80mΩ (SCT3080KW7)、105mΩ (SCT3105KW7)、160mΩ (SCT3160KW7)
- ドレイン電流
- 56A (SCT3040KW7)、30A (SCT3080KW7)、23A (SCT3105KW7)、17A (SCT3160KW7)
- 総電力損失
- 267W (SCT3040KW7)、159W (SCT3080KW7)、125W (SCT3105KW7)、100W (SCT3160KW7)
回路図
公開: 2020-10-16
| 更新済み: 2024-10-22
