Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN^®FETは50mΩ窒化ガリウム（GaN）ノーマリオフデバイスで、4リードTO-247パッケージで提供されます。高度エピと製造可能性を単純化する特許取得済の設計技術を採用したGen IVプラットフォームを使用しています。TP65H050G4YS 650V FETは、最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせ、優れた信頼性と性能を実現しています。このSuperGaN FETは、ゲート電荷、出力容量、クロスオーバー損失、および逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率を向上させます。一般的なアプリケーションには、データ通信、幅広い産業、PVインバータ、サーボモータなどがあります。