Renesas Electronics TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas ElectronicsTP65H070G4PS 650V SuperGaN^®窒化ガリウム（GaN）FETは、650V、 70mΩ の優れた品質と性能を提供するノーマリーオフ・デバイスです。TP65H070G4PSは、高電圧 GaN HEMT と低電圧シリコンMOSFETの技術を統合し、3 リードTO-220パッケージに収納したものです。-55°C〜+150°Cの温度範囲内で動作するこのコンポーネントは、26Wの最大電力損失、18.4A〜29Aの最大連続ドレイン電流範囲、120A（最大値）のパルスドレイン電流を特徴としています。Renesas Electronicsの第4世代SuperGaNプラットフォームは、先進のエピ技術および特許取得済みの設計技術を使用し、製造性を簡素化すると同時に、ゲート電荷、出力容量、クロスオーバー損失、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率を向上させます。